芯片開封技術介紹decap

時間：2020-05-07

作者：儀準科技（北京）有限公司

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失效分析原理
失效分析是一門發展中的新興學科，近年開始從**向普通企業普及。它一般根據失效模式和現象，通過分析和驗證，模擬重現失效的現象，找出失效的原因，挖掘出失效的機理的活動。在提高產品質量，技術開發、改進，產品修復及仲裁失效事故等方面具有很強的實際意義。其方法分為有損分析，無損分析，物理分析，化學分析等。原理失效機制是導致零件、元器件和材料失效的物理或化學過程。此過程的誘發因素有內部的和外部的。在研究失
晶柱成長制程
《晶柱成長制程》硅晶柱的長成，首先需要將純度相當高的硅礦放入熔爐中，并加入預先設定好的金屬物質，使產生出來的硅晶柱擁有要求的電性特質，接著需要將所有物質融化后再長成單晶的硅晶柱，以下將對所有晶柱長成制程做介紹。長晶主要程序︰融化（MeltDown）此過程是將置放于石英坩鍋內的塊狀復晶硅加熱制**攝氏1420度的融化溫度之上，此階段中較重要的參數為坩鍋的位置與熱量的供應，若使用較大的功率來
x-ray檢測內容
X射線(X-ray)檢測 X射線(X-ray)檢測儀是在不損壞被檢物品的前提下使用低能量X 光，快速檢測出被檢物。利用高電壓撞擊靶材產生X射線穿透來檢測電子元器件、半導體封裝產品內部結構構造品質、以及SMT各類型焊點焊接質量等[1] 。型號:XD7500NT 參考標準:《IPC-A-610E電子組裝件的驗收標準》、《GB/T 17359-1998電子探針和掃描電鏡X射線能譜定量分析方法通則》
芯片失效分析方法：
芯片失效分析方法： 1.OM 顯微鏡觀測，外觀分析 2.C-SAM（超聲波掃描顯微鏡）（1）材料內部的晶格結構，雜質顆粒，夾雜物，沉淀物，（2）內部裂紋。（3）分層缺陷。（4）空洞，氣泡，空隙等。 3. X－Ray 檢測IC封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性，PCB制程中可能存在的缺陷如對齊不良或橋接，開路、短路或不正常連接的缺陷，封裝中的錫球完整性。（這幾種是芯片發生失