芯片失效分析方法：

時間：2019-11-21

作者：儀準科技（北京）有限公司

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詞條說明
常用失效分析方法
芯片常用分析手段： 1、X-Ray 無損偵測，可用于檢測 IC封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性 PCB制程中可能存在的缺陷如對齊不良或橋接開路、短路或不正常連接的缺陷封裝中的錫球完整性 2、SAT超聲波探傷儀/掃描超聲波顯微鏡可對IC封裝內部結構進行非破壞性檢測, 有效檢出因水氣或熱能所造成的各種破壞如﹕ 晶元面脫層錫球、晶元或填膠中的裂縫封裝材料內部的氣孔各種孔洞
熱插拔帶來的EOS損壞
熱插拔帶來的EOS損壞 \使用USB接口的產品，如果熱插拔設計存在問題的話，*帶來EOS破壞。產品熱插拔的時候，可能會帶來瞬時的大電流，這種大電流，是一種震蕩波，首先，可能直接破壞芯片或器件，而是激發芯片產生大電流的latchup效應，最后燒壞芯片或器件。某產品試用時，插拔時頻頻出現損壞，經過比對電性分析，發現電性明顯異常，進行EMMI測試，發現芯片表面異常亮點，在顯微鏡下，發現鋁線燒損，判
PCB失效分析
失效分析就是要分析損壞的產品從而為改進設計或明確責任提供素材的工作。但是從行業來看，目前很多公司特別是中小型公司的失效分析做的并不好。中國有句俗話叫：“吃一塹，長一智”，《論語》中也有“**過”的說法。其本質就是要從失敗中吸取教訓避免進一步的犯錯。一方面，一些中小型電子產品生產商沒有良好的物料控制體系，不能對物料進行有效的追溯。一旦出了問題，很難查到當年的渠道和來源。甚至不能保證物料的真偽。較
失效分析fib
失效分析fib 1.IC芯片電路修改用FIB對芯片電路進行物理修改可使芯片設計者對芯片問題處作針對性的測試,以便較快較準確的驗證設計方案。若芯片部份區域有問題,可通過FIB對此區域隔離或改正此區域功能,以便找到問題的癥結。 FIB還能在較終產品量產之前提供部分樣片和工程片,利用這些樣片能加速終端產品的上市時間。利用FIB修改芯片可以減少不成功的設計方案修改次數，縮短研發時間和周期。 2.Cro