PCB失效分析方法

時間：2020-04-30

作者：儀準科技（北京）有限公司

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聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX
聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術指標一、技術指標 1、電子束電流范圍：1 pA - 400 nA； 2、電子束電壓：200eV-30 keV，具有減速模式 3、電子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒； 5、離子束加速電壓500V-30kV（分辨率：3.0 nm）； 6、離
芯片的前世今生
莊子有言：“一日之錘日取其半，萬世不竭”。這句話的意思是指一尺的東西今天取其一半，明天取其一半的一半，后天再取其一半的一半的一半，總有一半留下，所以永遠也取不盡，這體現了物質是無限可分的思想。魏少軍教授講到，半導體和芯片的發展，恰好就是按照這樣一半一半的往下縮小，而且縮小的過程到現在為止還沒有停止。但是，縮小過程當中必須按照某種規則來進行，也就是要按照規矩，沒有規矩，那就不能成方圓。這就印證了孟
疫情捐助百萬探針臺無償捐贈湖北
疫情當下，中國經濟發展將受到短暫的影響。儀準科技心系國家，將愛傳遞，特向受影響較大的湖北省援助**百萬的探針臺。援助方案分兩部分，總****過100**民幣。 1、免費捐贈探針臺產品（5臺）。 A、 ADVANCED PW-400-PCKG 3套每套配置如下： PW-400：4 inch chuck（探針臺主體） 1 pcs SMZ-168： 20X目鏡 15-100x放大(體式顯微鏡) 1
熱插拔帶來的EOS損壞
熱插拔帶來的EOS損壞 \使用USB接口的產品，如果熱插拔設計存在問題的話，*帶來EOS破壞。產品熱插拔的時候，可能會帶來瞬時的大電流，這種大電流，是一種震蕩波，首先，可能直接破壞芯片或器件，而是激發芯片產生大電流的latchup效應，最后燒壞芯片或器件。某產品試用時，插拔時頻頻出現損壞，經過比對電性分析，發現電性明顯異常，進行EMMI測試，發現芯片表面異常亮點，在顯微鏡下，發現鋁線燒損，判