芯片的前世今生

時(shí)間：2020-04-10作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：115

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  詞條說明

• 芯片開封技術(shù)laser decap

  芯片開封技術(shù)laser decap 半導(dǎo)體業(yè)的銅制程芯片越來越成為發(fā)展主流，這給失效分析中器件開封帶來越來越高的挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)的酸開封已經(jīng)沒有辦法完成銅制程器件的開封，良率一般**30%。此時(shí)儀準(zhǔn)科技推出的激光開封機(jī)，給分析產(chǎn)業(yè)帶來了新的技術(shù)。 產(chǎn)品特點(diǎn)： 1、對銅制程器件有很好的開封效果，良率**90%。 2、對環(huán)境及人體污染傷害交小，符合環(huán)保理念。 3、開封效率是普通酸開封機(jī)臺(tái)的3~5倍。 4、電

• 電子元器件失效分析方法經(jīng)驗(yàn)

  失效分析常用方法匯總 芯片在設(shè)計(jì)生產(chǎn)使用各環(huán)節(jié)都有可能出現(xiàn)失效，失效分析伴隨芯片全流程。 這里根據(jù)北軟檢測失效分析實(shí)驗(yàn)室經(jīng)驗(yàn)，為大家總結(jié)了失效分析方法和分析流程，供大家參考。 一、C-SAM（超聲波掃描顯微鏡)，屬于無損檢查: 檢測內(nèi)容包含： 1.材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu)、雜質(zhì)顆粒、夾雜物、沉淀物 2.內(nèi)部裂紋 3.分層缺陷 4.空洞、氣泡、空隙等。 二、 X－Ray（X光檢測），屬于無損檢查: X-R

• 聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX

  聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術(shù)指標(biāo) 一、技術(shù)指標(biāo) 1、電子束電流范圍：1 pA - 400 nA； 2、電子束電壓：200eV-30 keV，具有減速模式 3、電子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒； 5、離子束加速電壓500V-30kV（分辨率：3.0 nm）； 6、離

• eos失效分析篇

  芯片失效案例分析之EOS** 作為研發(fā)較怕遇到的事情之一就是芯片失效的問題，好端端的芯片突然異常不能正常工作了，很多時(shí)候想盡辦法卻想不出問題在哪。的確，芯片失效是一個(gè)非常讓人頭疼的問題，它可能發(fā)生在研發(fā)初期，可能發(fā)生在生產(chǎn)過程中，還有可能發(fā)生在終端客戶的使用過程中。造成的影響有時(shí)候也非常巨大。 芯片失效的原因多種多樣，并且它的發(fā)生也無明顯的規(guī)律可循。那么有沒有一些辦法來預(yù)防芯片失效的發(fā)生呢？這里會(huì)