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一文讀懂IGBT模塊特點(diǎn)及技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)
IGBT的工作原理IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道,而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性,但是在高電平時(shí),功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)
選擇使用西門子觸摸屏的原因可能包括以下幾點(diǎn):可靠性和耐用性:西門子作為知名工控設(shè)備制造商,其產(chǎn)品以其穩(wěn)定性和可靠性而聞名。西門子觸摸屏經(jīng)過嚴(yán)格的質(zhì)量控制和測(cè)試,具有較高的耐用性和長壽命。這意味著它們可以在工業(yè)環(huán)境中長時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行,并具備抗振動(dòng)、抗干擾等特性。優(yōu)化的用戶界面:西門子觸摸屏提供直觀的用戶界面,易于操作和學(xué)習(xí)。它們通常配備高分辨率顯示屏和先進(jìn)的觸摸技術(shù),使用戶能夠迅速進(jìn)行操作和設(shè)置。此外
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管) 組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動(dòng)式-功率半導(dǎo)體器件,其具有自關(guān)斷的特征。簡(jiǎn)單講,是一個(gè)非通即斷的開關(guān),IGBT沒有放大電壓的功能,導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線,斷開時(shí)當(dāng)做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點(diǎn),如驅(qū)動(dòng)功率小和飽和壓降低等。IGBT模塊是由IGBT與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過特定的
公司名: 深圳市寶安區(qū)誠芯源電子商行
聯(lián)系人: 劉經(jīng)理
電 話: 13128707396
手 機(jī): +86 13128707396
微 信: +86 13128707396
地 址: 廣東深圳福田區(qū)園嶺街道園東社區(qū)園嶺八街園嶺新村92棟103
郵 編:
網(wǎng) 址: hchsw.cn.b2b168.com
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