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詞條說明
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)
【回收三菱IGBT】IGBT 的驅(qū)動(dòng)電路有什么特點(diǎn)?
(1)提供適當(dāng)?shù)恼蚝头聪蜉敵鲭妷海笽GBT可靠的開通和關(guān)斷。(2)提供足夠大的瞬時(shí)電流或瞬態(tài)功率,使IGBT能迅速建立柵控電場(chǎng)而導(dǎo)通。(3)具有盡可能小的輸入輸出延遲時(shí)間,以提高工作效率。(4)具有足夠高的輸入輸出電氣隔離性能,使信號(hào)電路與柵極驅(qū)動(dòng)電路絕緣。(5)具有靈敏的過流保護(hù)能力。上述就是為你介紹的有關(guān)IGBT的驅(qū)動(dòng)電路有什么特點(diǎn)的內(nèi)容,對(duì)此你還有什么不了解的,歡迎前來咨詢我們網(wǎng)站,我們
1)柵電壓IGBT工作時(shí),必須有正向柵電壓,常用的柵驅(qū)動(dòng)電壓值為15~187,最高用到20V, 而棚電壓與柵極電阻Rg有很大關(guān)系,在設(shè)計(jì)IGBT驅(qū)動(dòng)電路時(shí), 參考IGBT Datasheet中的額定Rg值,設(shè)計(jì)合適驅(qū)動(dòng)參數(shù),保證合理正向柵電壓。因?yàn)镮GBT的工作狀態(tài)與正向棚電壓有很大關(guān)系,正向柵電壓越高,開通損耗越小,正向壓降也越小。2)Miller效應(yīng)為了降低Miller效應(yīng)的影響,在IGBT柵
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