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KRi 大面積射頻離子源應用于 12英寸,8英寸 IBE 離子束蝕刻系統
上海伯東美國?KRi 考夫曼公司大面積射頻離子源? RFICP 380, RFICP 220 成功應用于 12英寸和 8英寸 IBE? 離子束蝕刻機, 刻蝕均勻性(1 σ)達到< 1%. 可以用來刻蝕任何固體材料, 包括金屬, 合金, 氧化物, 化合物, 混合材料, 半導體, 絕緣體, 導體等.離子束刻蝕屬于干法刻蝕, 其部件為大面積離子源. 作為蝕刻機的部件,
上海伯東美國?KRi 霍爾離子源?EH 系列, 提供高電流低能量寬束型離子束, KRi?霍爾離子源可以以納米精度來處理薄膜及表面, 多種型號滿足科研及工業, 半導體應用.?霍爾離子源高電流提高鍍膜沉積速率, 低能量減少離子轟擊損傷表面, 寬束設計提高吞吐量和覆蓋沉積區. 整體易操作, 易維護, 安裝于各類真空設備中, 例如 e-beam 電子束鍍膜機, lo
美國?HVA 真空閥門中國總代理上海伯東是美國?HVA 高真空和高真空閥門中國總代理!?HVA?是美國大的真空閥門制造商, 在美國有過四十年的歷史, 擁有6萬平方英尺的全自動加工工廠,?HVA?提供高質量, 準確, 客制化的真空閥門. 無論是生產線升級, 還是新設備制造,?HVA?都能提供經濟有效的閥門解決方案,
上海伯東是美國?HVA 高真空和高真空閥門中國總代理!?HVA?是美國大的真空閥門制造商, 在美國有過四十年的歷史, 擁有6萬平方英尺的全自動加工工廠,?HVA?提供高質量, 準確, 客制化的真空閥門. 無論是生產線升級, 還是新設備制造,?HVA?都能提供經濟有效的閥門解決方案, 其中高真空閘閥現已廣泛應用于半導體氣體管路和各
公司名: 伯東企業(上海)有限公司
聯系人: 葉南晶
電 話: 021-50463511
手 機: 13918837267
微 信: 13918837267
地 址: 上海浦東高橋上海浦東新區新金橋路1888號36號樓7樓702室
郵 編:
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