國華三新—鵬城半導體簽約儀式在深圳舉行

時間：2022-01-18

作者：鵬城半導體技術（深圳）有限公司

詞條
詞條說明
鵬城半導體亮相第八屆國際第三代半導體論壇
一年一度行業(yè)盛會，*八屆***三代半導體論壇（IFWS ）&*十九屆中國**半導體照明論壇（SSLCHINA）于2023年2月7日-10日（7日報到）在蘇州金雞湖凱賓斯基大酒店召開。在這場被視為“***三代半導體行業(yè)*”的盛會上，由2014年諾貝爾物理獎獲得者、日本工程院院士、美國工程院院士、中國工程院外籍院士、日本名古屋大學未來材料與系統(tǒng)研究所教授天野浩，美國工程院院士、美國國家發(fā)明
中國材料大會|鵬城半導體技術（深圳）有限公司
會議時間：2024年7月8-11日會議地點：廣州白云**會議中心主辦單位：中國材料研究學會“中國材料大會”是中國材料研究學會的學術年會，是重要的系列品牌會議之一，是中國新材料界學術水平較高、涉及領域較廣、*動態(tài)較新的****學術大會，是面向國家重大需求、推動新材料*重大突破的高水平品牌大會。為推動經(jīng)濟社會高質(zhì)量發(fā)展，加快建設科技強國，實現(xiàn)高水平科技自立自強，擬于2024年7月8-11日在廣東省廣
化學氣相沉積設備（CVD）-小型管式LPCVD設備
LPECVD是在低壓高溫的條件下，通過化學反應氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。可用于科學研究、實踐教學、小型器件制造。小型管式LPCVD設備設備結構及特點1、小型化，方便實驗室操作和使用，大幅降低實驗成本兩種基片尺寸2英寸或4英寸；每次裝片1～3片。基片放置方式：配置三種基片托架，豎直、水平臥式、帶傾角。基片形狀類型：不規(guī)則形狀的散片、φ2～4
第四屆全球半導體產(chǎn)業(yè)（重慶）博覽會圓滿落幕
6月29日至7月1日，*四屆**半導體產(chǎn)業(yè)與電子技術（重慶）博覽會（以下簡稱“博覽會”）在重慶**博覽中心圓滿落幕。博覽會聚焦“集成電路設計制造、封裝測試、半導體材料、AI+IOT+5G、智慧電源、生產(chǎn)設備、電子元器件、電子智能制造、智慧工廠、測試測量、連接器及線束加工”等重點領域，涵蓋展覽展示、*發(fā)布、**論壇、技術研討、招商推介等多維度活動內(nèi)容，發(fā)布推廣新產(chǎn)品、*技術成果和優(yōu)秀解決方案，搭