【德國西門康可控硅】可控硅分類

時間：2021-09-13

作者：上海秦邦電子科技有限公司

15995613456

詞條
詞條說明
全新300HF120P 300U60A 300UR60A美國vishay旋轉二極管
全新300HF120P 300U60A 300UR60A美國vishay旋轉二極管昆山新東佳電子主要銷售品牌包括:英飛凌、歐派克（Infineon）、日本三社、IXYS艾賽斯、西門康、西碼、富士、三菱、新電源、東芝、IR、摩托羅拉、西門子、英達、三肯、三洋、APT、ST ABB、CDE等國外**公司生產的IGBT、可控硅、晶閘管、GTR、IPM、PIM、快恢復二極管、整流橋、電解電容、驅動電路、M
英飛凌IGBT模塊
可控硅有多種分類方法。（一）按關斷、導通及控制方式分類：可控硅按其關斷、導通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導可控硅、門較關斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。（二）按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二較可控硅、三較可控硅和四較可控硅。（三）按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控
【英飛凌IGBT模塊】IGBT原理
IGBT原理方法IGBT是將強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數值高的特征，IGBT消除了現有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然較新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性，但是在高電平時，功率導通損耗仍然要比IGBT 技術高
可控硅模塊的好壞如何判斷？
方法一：可控硅模塊測量較間電阻法將萬用表置于皮R×1k檔，如果測得T2－T1、T2－G之間的正反向電阻接近∞，而萬用表置于R×10檔測得T1－G之間的正反向電阻在幾十歐姆??時，就說明雙向可控硅是好的，可以使用；反之：1、若測得T2－T1，、T2－G之間的正反向電阻較小甚或等于零．而Tl－G之間的正反向電阻很小或接近于零時．就說明雙向可控硅的性能變壞或擊穿損壞。不能使用；2、如