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**名稱:平板式可控硅的制作方法技術(shù)領(lǐng)域:本實用新型涉及一種平板式可控硅。背景技術(shù):可控硅又稱晶間管,晶間管整流器具有耐壓高、容量大、效率高、控制特性好、體積小、壽命長等諸多優(yōu)點,發(fā)展迅猛。在世紀應(yīng)用中,大功率晶間管整流裝置一般采用平板式可控硅,其特點是可作雙面冷卻。目前大功率平板式可控硅的封裝普遍采用陶瓷外殼的封裝結(jié)構(gòu)形式,雖然陶瓷材料能夠絕緣、耐熱,但因為陶瓷工藝易碎、雜質(zhì)難控制等特點,其加工
進口晶閘管很多大公司做的價格比較有優(yōu)勢。ABB可控硅,ABB晶閘管是ABB官方授權(quán)的正規(guī)代理商,可控硅都是ABB瑞士原裝進口、質(zhì)量比較可靠,價格比較有優(yōu)勢,另外售前售后的技術(shù)支持比較周到。?進口晶閘管主要廠家品牌:ST,NXP/PHILIPS,NEC,ON/MOTOROLA,RENESAS/MITSUBISHI,LITTELFUSE/TECCOR,TOSHIBA,JX?,SAN
整流橋模塊的作用是什么:整流橋模塊的功能,是將由交流配電單元提供的交流電,變換成48V或者24V直流電輸出到直流配電單元。采用諧振電壓型雙環(huán)控制的諧振開關(guān)電源技術(shù),具有穩(wěn)壓精度高、動態(tài)響應(yīng)快的特點。整流模塊內(nèi)置MCU,全智能控制,可實現(xiàn)單機或多機并聯(lián)運行。模塊可以帶電熱插拔,日常維護方便快捷。采用多級吸收,具有過壓、欠壓、短路、過流、過熱等自動保護及自動恢復(fù)運行功能。散熱條件的好壞,直接影響模塊的
IGBT工作特性靜態(tài)特性IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性。IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時,漏較電流與柵較電壓之間的關(guān)系曲線。輸出漏較電流比受柵源電壓Ugs 的控制,Ugs 越高, Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似.也可分為飽和區(qū)1 、放大區(qū)2 和擊穿特性3 部分。在截止狀態(tài)下的IGBT ,正向電壓由J2 結(jié)承擔(dān),反向電壓由J1結(jié)承擔(dān)。如果無N+緩沖區(qū),則正反
公司名: 上海秦邦電子科技有限公司
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