微量元素含量測試方法

時間：2020-04-30

作者：儀準科技（北京）有限公司

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詞條說明
芯片測試方法匯總
芯片失效分析檢測方法匯總失效分析趙工 1 、C-SAM（超聲波掃描顯微鏡)，無損檢查:１.材料內部的晶格結構，雜質顆粒．夾雜物．沉淀物．2. 內部裂紋. 3.分層缺陷.4.空洞,氣泡,空隙等. 德國 2 、X－Ray（這兩者是芯片發生失效后首先使用的非破壞性分析手段），德國Fein 微焦點Xray用途：半導體BGA，線路板等內部位移的分析；利于判別空焊，虛焊等BGA焊接缺陷. 參數：標準檢測
失效分析技術及失效分析案例
失效分析技術及失效分析案例作為各種元器件的載體與電路信號傳輸的樞紐，PCB已經成為電子信息產品的較為重要而關鍵的部分，其質量的好壞與可靠性水平決定了整機設備的質量與可靠性。但是由于成本以及技術的原因，PCB在生產和應用過程中出現了大量的失效問題。對于這種失效問題，我們需要用到一些常用的失效分析技術，來使得PCB在制造的時候質量和可靠性水平得到一定的保證，本文總結了**失效分析技術，供參考借鑒。
失效分析項目介紹
作為研發較怕遇到的事情之一就是芯片失效的問題，好端端的芯片突然異常不能正常工作了，很多時候想盡辦法卻想不出問題在哪。的確，芯片失效是一個非常讓人頭疼的問題，它可能發生在研發初期，可能發生在生產過程中，還有可能發生在終端客戶的使用過程中。造成的影響有時候也非常巨大。作為各種元器件的載體與電路信號傳輸的樞紐，PCB已經成為電子信息產品的較為重要而關鍵的部分，其質量的好壞與可靠性水平決定了整機設備的質
聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX
聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術指標一、技術指標 1、電子束電流范圍：1 pA - 400 nA； 2、電子束電壓：200eV-30 keV，具有減速模式 3、電子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒； 5、離子束加速電壓500V-30kV（分辨率：3.0 nm）； 6、離