雙束FIB設備介紹（二）

時間：2020-03-25

作者：儀準科技（北京）有限公司

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詞條說明
聚焦離子束FIB詳細介紹
聚焦離子束FIB詳解 1.引言隨著納米科技的發展，納米尺度制造業發展*，而納米加工就是納米制造業的**部分，納米加工的代表性方法就是聚焦離子束。近年來發展起來的聚焦離子束（FIB）技術利用高強度聚焦離子束對材料進行納米加工，配合掃描電鏡（SEM）等高倍數電子顯微鏡實時觀察，成為了納米級分析、制造的主要方法。目前已廣泛應用于半導體集成電路修改、切割和故障分析等。 2.工作原理聚焦離子束(ed
測試補貼最高90%
在北京地區注冊，具有獨立法人資格，在職正式職工不多于100人，營業收入1000萬元以下，注冊資金不**2000萬元，具有健全的財務機構，管理規范，無不良誠信記錄；每年度符合補貼要求的業務合同金額在 10萬元及以下的部分按照較高不**過90%的比例核定； **過10萬元至50萬元的部分按照較高不**過60%的比例核定； **過50萬元至100萬元的部分按照較高不**過30%的比例核定； **過100萬元以上的
聚焦離子束顯微鏡FIB應用
1.引言隨著納米科技的發展，納米尺度制造業發展*，而納米加工就是納米制造業的**部分，納米加工的代表性方法就是聚焦離子束。近年來發展起來的聚焦離子束（FIB）技術利用高強度聚焦離子束對材料進行納米加工，配合掃描電鏡（SEM）等高倍數電子顯微鏡實時觀察，成為了納米級分析、制造的主要方法。目前已廣泛應用于半導體集成電路修改、切割和故障分析等。 2.工作原理聚焦離子束(ed Ion beam, F
半導體材料SiC和GaN
寬禁帶半導體材料SiC和GaN 的研究現狀 **代半導體材料一般是指硅（Si）元素和鍺（Ge）元素，其奠定了20 世紀電子工業的基礎。*二代半導體材料主要指化合物半導體材料，如砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、磷化鎵（GaP）、砷化銦（InAs）、砷化鋁（AlAs）及其合金化合物等，其奠定了20 世紀信息光電產業的基礎。*三代寬禁帶半導體材料一般是指氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氮化鋁（