詞條
詞條說明
SnO2是氧空位產生非化學整比性的寬帶半導體,摻雜F、Sb元素后導電性能能提高幾個數量級,形成n型半導體。ATO是銻摻雜二氧化錫(antimony doped tin oxide)具有優良的電學性質和光學性質。粉末作為抗靜電材料廣泛應用于涂料、化纖、造紙、包裝、建筑材料等方面,顯示出比其他抗靜電材料(石墨、表面活性劑、金屬粉)較大的優越性。此外在光電顯示器件,透明電極、太陽能電池、隔熱窗、催化劑領
公司名: 上海滬正納米科技有限公司
聯系人: 張先生
電 話: 02150428367-813
手 機: 13816463507
微 信: 13816463507
地 址: 上海閔行浦江新駿環路158號
郵 編:
網 址: shj128000.b2b168.com
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