詞條
詞條說明
常規(guī)的CMOS結(jié)構(gòu)中,電源與地之間存在寄生的PNPN即SCR結(jié)構(gòu)。當(dāng)SCR被觸發(fā)時(shí),電源到地之間存在低阻通道,引起較大電流,破壞電路工作甚至燒毀電路,這就是閂鎖效應(yīng) (Latch-up)。為避免閂鎖效應(yīng),早期采用SOS (Silicon On Sapphire) 技術(shù)制作CMOS電路,即在藍(lán)寶石絕緣襯底上外延硅,之后制作器件,這就有效的避免MOS管的源、漏區(qū)和襯底之間形成PN結(jié)。但是,藍(lán)寶石價(jià)格昂
眾所周知,隨著手機(jī)技術(shù)的不斷發(fā)展,在過去幾年中,智能手機(jī)上功能和技術(shù)增長較快的是手機(jī)攝影功能,尤其是似乎像參與了手機(jī)攝影比賽一般的國產(chǎn)手機(jī),一直高掛在DXO榜單上。映射到手機(jī)上表現(xiàn)為攝像頭的數(shù)量不斷增加,像素不斷加高,這點(diǎn)讓CMOS制造商口袋飽飽。例如,由于CMOS芯片的巨大銷售量,索尼**進(jìn)入了世界前15大半導(dǎo)體市場(chǎng),當(dāng)然,這背后的國產(chǎn)機(jī)功勞功不可沒。CMOS是互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體的縮寫。它是指
CMOS的制作需要經(jīng)過一系列的復(fù)雜的化學(xué)和物理操作,而做為一名集成電路版圖(ic layout)工程師,系統(tǒng)的了解這個(gè)在半導(dǎo)體制造技術(shù)中具有代表性的CMOS工藝流程是非常有必要的。只有熟悉了工藝流程才會(huì)了解各層次之間的關(guān)系,才會(huì)在IC Layout的繪制中考慮到版圖中各層次對(duì)流片產(chǎn)生的影響。1初始清洗將晶圓放入清洗槽中,利用化學(xué)或物理方法將在晶圓表面的塵粒或雜質(zhì)去除,防止這些雜質(zhì)塵粒對(duì)后續(xù)制造工藝
不可否認(rèn)的是,CMOS的微縮已經(jīng)成為推動(dòng)過去幾十年的巨大進(jìn)步的“燃料”,以提高性能、效率和降低集成電路和系統(tǒng)的成本,從而實(shí)現(xiàn)新的應(yīng)用。摩爾定律的終結(jié)已經(jīng)被預(yù)言了很多次,而材料、設(shè)備概念和圖案的創(chuàng)新已經(jīng)為當(dāng)前的10nm以下技術(shù)掃清了道路。然而,該行業(yè)已經(jīng)到了這樣一個(gè)階段:過去50年的規(guī)模化所帶來的功耗、性能、面積和成本(PPAC)方面的典型收益已經(jīng)變得越來越難以實(shí)現(xiàn),尤其是在展望未來3nm技術(shù)的時(shí)候
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