?plasma等離子體能量密度對H2氣氛下C2H6脫氫反應(yīng)的影響

時(shí)間：2023-03-14作者：深圳子柒科技有限公司瀏覽：80

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• ?plasma等離子體能量密度對H2氣氛下C2H6脫氫反應(yīng)的影響

  ?plasma等離子體能量密度為860 kJ/mol時(shí)，H2添加量對C2H6脫氫反應(yīng)的影響：隨著H2濃度增加，C2H6轉(zhuǎn)化率，C2H2、C2H4和CH4收率均有所增加，這表明H2的加入有利于C2H6轉(zhuǎn)化及C2H2、C2H4和CH4生成。產(chǎn)生上述結(jié)果的可能原因是：一方面氫氣因其導(dǎo)熱性好，可大量傳遞熱量，在乙烷plasma等離子體中起稀釋氣體作用;另一方面氫氣的H-H鍵斷裂能為4.48eV，

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  等離子處理器也屬于干洗法，與傳統(tǒng)的濕法清洗器相比，電漿處理器具備工藝簡單、操作簡單、可控性高、精度高等特點(diǎn)，能一次清理表層不會(huì)有殘留物，反觀濕法清理一次清理不干凈還會(huì)有殘留物，如果使用大量的溶劑，對環(huán)境和人體都會(huì)有害。電漿清洗器在使用流程中，有兩種清理流程：化學(xué)變化和物理反應(yīng)。電漿清理性能好，清理快，去除氧化物，**物和物體表層活化效果好，而且在使用流程中不會(huì)產(chǎn)生對人體和環(huán)境有害的氣體，是一種真正

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