昂寶電源芯片OB2362A

時間：2024-08-15

作者：深圳市維品佳科技有限公司

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詞條說明
韓國金勝特JST-MOS管
? ? ? 韓國金勝特半導體，芯片大，內阻低，開關損耗小，升溫低，散熱好，熱穩定性好。
啟達原邊QR模式PWM過來開關CR3346內置650V做5V2A
啟達原邊QR模式PWM過來開關CR3346內置650V做5V2ACR3346 ?芯片特性：● CR3346 是內置 650V 功率 MOS 管，反激式 QR 原邊控制 PWM 功率開關；● 內置軟啟動，內置斜坡補償電路，內置過功率補償；● 多模式控制的能效均衡技術，低待機率滿足能效要求；● 具有“軟啟動、OCP、SCP、OTP、OVP 自動恢復等保護功能；● 電路結構簡單、較少的外圍元器
什么是肖特基二管MBR20100CT
肖特基二管是以其發明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導體（接觸）二管或表面勢壘二管，它是一種熱載流子二管。肖特基二管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正，以N型半
淺析肖特基二管損壞的具體原因
淺析肖特基二管損壞的具體原因? ? ?1、運行管理欠佳。值班運行人員工作不負責任，對外界負荷的變化(特別是在深夜零點至二天上午6點之間)不了解，或是當外界發生了甩負荷故障，運行人員沒有及時進行相應的操作處理，產生過電壓而將肖特基二管擊穿損壞。2、運行條件惡劣。間接傳動的發電機組，因轉速之比的計算不正確或兩皮帶盤直徑之比不符合轉速之比的要求，使發電機長期處于高轉速下運行