mos管怎么測試好壞

時(shí)間：2023-11-07作者：深圳市維品佳科技有限公司瀏覽：66

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• 原邊反激式功率開關(guān)芯片CR6247

  原邊反激式功率開關(guān)芯片CR6247CR6247芯片特性：?1.CR6247是內(nèi)置 600V 高壓功率 MOSFET，反激式原邊 PWM 功率開關(guān)；2.內(nèi)置軟啟動(dòng)，減小 MOSFET 的應(yīng)力，內(nèi)置斜坡補(bǔ)償電路；3.具有頻率抖動(dòng)功能，使其具有良好的 EMI 特性；4.多模式控制的能效均衡技術(shù)，低待機(jī)率滿足能效要求；5.具有“軟啟動(dòng)、OCP、SCP、OTP、OVP 自動(dòng)恢復(fù)等保護(hù)功能；6.

• 什么是低壓MOS管5N60

  MOS管為壓控元件,你只需加到它的壓控元件所需電壓就能使它導(dǎo)通,它的導(dǎo)通就像三管在飽和狀態(tài)一樣,導(dǎo)通結(jié)的壓降小.這就是常說的精典是開關(guān)效果.去掉這個(gè)操控電壓經(jīng)就截止。MOS管的英文全稱叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金屬氧化物半導(dǎo)體型場效應(yīng)管，歸于場效應(yīng)晶體管中的絕緣柵型。因此，MOS管有時(shí)被稱為場效應(yīng)管。在一

• 肖特基二管的優(yōu)缺點(diǎn)

  肖特基二管的優(yōu)勢SBD的主要優(yōu)點(diǎn)包括兩個(gè)方面：1）由于肖特基勢壘高度PN結(jié)勢壘高度，故其正向?qū)ê驼驂航刀急萈N結(jié)二管低（約低0.2V）。2）由于SBD是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件，不存在少數(shù)載流子壽命和反向恢復(fù)問題。SBD的反向恢復(fù)時(shí)間只是肖特基勢壘電容的充、放電時(shí)間，不同于PN結(jié)二管的反向恢復(fù)時(shí)間。由于SBD的反向恢復(fù)電荷非常少，故開關(guān)速度非常快，開關(guān)損耗也特別小，尤其適合于高頻應(yīng)用。肖特基二管

• 綠色節(jié)能電流模反激PWM功率開關(guān)CR5229的主要特點(diǎn)與應(yīng)用

  CR5229綠色節(jié)能電流模反激PWM功率開關(guān)CR5229主要特點(diǎn) z 內(nèi)置 4ms 軟啟動(dòng)以降低功率管開機(jī)尖峰電流z 采用輕載降頻設(shè)計(jì)，以提率和降低待機(jī)功耗z 采用頻率抖動(dòng)以達(dá)到好的 EMI 性能 z SENCE 峰值電流檢測輸入端內(nèi)置消隱功能z 無音頻噪聲工作模式 z 固定工作頻率：50KHz z 內(nèi)置斜坡補(bǔ)償 z 低的啟動(dòng)電流和工作電流 z 欠壓鎖定保護(hù)（UVLO） z 過載保護(hù)(OLP)