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詞條說明
1. 可控硅的特性。 可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有陽極A1(T1),第二陽極A2(T2)、控制極G三個引出腳。 只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓,同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發電壓時,方可被觸發導通。此時A、K間呈低阻導通狀態,陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導通后,控制器G即使失去觸發電壓,只要陽極A和陰
方法一:測量極間電阻法將萬用表置于皮R×1k檔,如果測得T2-T1、T2-G之間的正反向電阻接近∞,而萬用表置于R×10檔測得T1-G之間的正反向電阻在幾十歐姆??時,就說明雙向可控硅是好的,可以使用;反之:1、若測得T2-T1,、T2-G之間的正反向電阻較小甚或等于零.而Tl-G之間的正反向電阻很小或接近于零時.就說明雙向可控硅的性能變壞或擊穿損壞。不能使用;2、如果測得T1
可控硅調速是用改變可控硅導通角的方法來改變電機端電壓的波形,從而改變電機端電壓的有效值,達到調速的目的。當可控硅導通角=180時,電機端電壓波形為正弦波,即全導通狀態;當可控硅導通角<180時,即非全導通狀態,電壓有效值減小;導通角越小,導通狀態越少,則電壓有效值越小,所產生的磁場越小,則電機的轉速越低。由以上的分析可知,采用可控硅調速其電機的轉速可連續調節。CPU⑥腳輸出的驅動信號經Q5放
4500V/6500V IGBT模塊產品額定電流為250A至1200A
4500V/6500V IGBT模塊產品支持不同拓撲結構的IGBT模塊,額定電流為250A至1200A?4500V/6500V IGBT模塊產品采用新型外殼封裝的大功率IGBT模塊設計旨在覆蓋3.3kV到6.5kV的全電壓范圍。新型封裝的產品預計將主要應用在工業級驅動、牽引、可再生能源和電力傳輸等領域。IHM / IHV系列涵蓋了所有可能的逆變器功率大小,支持單開關模塊、半橋模塊、斬波器
公司名: 蘇州徳昇锘電子科技有限公司
聯系人: 王冠豪
電 話: 0512-57406365
手 機: 17351195159
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地 址: 江蘇蘇州昆山市開發區朝陽東路55號中偉汽配物流市場6幢809室
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網 址: szdsndz.b2b168.com
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