igbt功率模塊是以絕緣柵雙較型晶體管（igbt）構(gòu)成的功率模塊

時(shí)間：2020-11-24作者：蘇州徳昇锘電子科技有限公司瀏覽：203

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  詞條說明

• 可控硅的好壞如何判斷？

  方法一：測(cè)量極間電阻法將萬(wàn)用表置于皮R×1k檔，如果測(cè)得T2－T1、T2－G之間的正反向電阻接近∞，而萬(wàn)用表置于R×10檔測(cè)得T1－G之間的正反向電阻在幾十歐姆??時(shí)，就說明雙向可控硅是好的，可以使用；反之：1、若測(cè)得T2－T1，、T2－G之間的正反向電阻較小甚或等于零．而Tl－G之間的正反向電阻很小或接近于零時(shí)．就說明雙向可控硅的性能變壞或擊穿損壞。不能使用；2、如果測(cè)得T1

• igbt功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（igbt）構(gòu)成的功率模塊

  由于igbt模塊為mosfet結(jié)構(gòu)，igbt的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離，具有出色的器件性能。廣泛應(yīng)用于伺服電機(jī)，變頻器，變頻家電等領(lǐng)域。?igbt是先進(jìn)的第三代功率模塊，工作頻率1-20khz,主要應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即dc/ac變換中。例電動(dòng)汽車、伺服控制器、ups、開關(guān)電源、斬波電源、無(wú)軌電車等。問世迄今有十年多歷史，幾乎己替代一切其它功率器件，例s

• 4500V/6500V IGBT模塊產(chǎn)品額定電流為250A至1200A

  4500V/6500V IGBT模塊產(chǎn)品支持不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的IGBT模塊，額定電流為250A至1200A?4500V/6500V IGBT模塊產(chǎn)品采用新型外殼封裝的大功率IGBT模塊設(shè)計(jì)旨在覆蓋3.3kV到6.5kV的全電壓范圍。新型封裝的產(chǎn)品預(yù)計(jì)將主要應(yīng)用在工業(yè)級(jí)驅(qū)動(dòng)、牽引、可再生能源和電力傳輸?shù)阮I(lǐng)域。IHM / IHV系列涵蓋了所有可能的逆變器功率大小，支持單開關(guān)模塊、半橋模塊、斬波器

• 小型輕量的直接水冷式車載IGBT模塊耐壓為1200V

  富士電機(jī)與日本山梨大學(xué)的研究小組開發(fā)出了小型輕量的直接水冷式車載IGBT模塊，這個(gè)IGBT模塊與其它的模塊的區(qū)別，此次開發(fā)品的特點(diǎn)在于陶瓷基板使用Al2O3、散熱片使用鋁。競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品大多是陶瓷基板使用Si3N4、散熱片使用銅，或者陶瓷基板使用Al2O3、散熱片使用銅。并在功率半導(dǎo)體國(guó)際會(huì)議“ISPSD 2013”上發(fā)表了該模塊采用的技術(shù)。該小型輕量的直接水冷式車載IGBT模塊的耐壓為1200V，電流