美國 HVA 真空閥門選型

時間：2024-01-11作者：伯東企業（上海）有限公司瀏覽：39

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  詞條說明

• 美國 KRi 霍爾離子源輔助鍍膜 IBAD 應用

  上海伯東美國?KRi 霍爾離子源?EH 系列, 提供高電流低能量寬束型離子束, KRi?霍爾離子源可以以納米精度來處理薄膜及表面, 多種型號滿足科研及工業, 半導體應用.?霍爾離子源高電流提高鍍膜沉積速率, 低能量減少離子轟擊損傷表面, 寬束設計提高吞吐量和覆蓋沉積區. 整體易操作, 易維護, 安裝于各類真空設備中, 例如 e-beam 電子束鍍膜機, lo

• HVA 真空閥門應用于E-Beam鍍膜機

  某?Sputtering + E-Beam PVD?鍍膜機系統采用?HVA?真空閥門?11000, HVA?真空閥門安裝在分子泵口便于泵的檢修,同時外系統停機時不破壞系統真空,?只要對泵內部進行破真空即可.HVA?不銹鋼真空閘閥?11000?系列標準技術規格:??閥門材質:&nb

• HVA真空閥門成功應用于粒子系統

  伯東代理的美國?HVA?真空閥門成功應用于中國研制的亞洲大的粒子系統.??HVA?不銹鋼真空閘閥?11000?系列標準技術規格:??閥門材質:?-?閥門主體?304?不銹鋼?-?焊接波紋管軸封?AM - 350?閥門密封方式&nb

• KRi 射頻離子源 IBSD離子束濺射沉積應用

  上海伯東美國?KRi 考夫曼 RF 射頻離子源, 燈絲提供高能量, 低濃度的寬束離子束, 離子束轟擊濺射目標, 濺射的原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, IBSD 離子束濺射沉積 和 ?IBD 離子束沉積是其典型的應用.KRi?離子源在 IBSD 離子束濺射沉積應用通常安裝兩個離子源主要濺射沉積源和二次預清潔 / 離子輔助源一次氣源為惰性氣體, 二次氣源為惰性或反應性