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詞條說明
電壓, Vceo:200V截止頻率 ft, 典型值:10MHz功耗, Pd:60mW集電直流電流:7A直流電流增益 hFE:30功耗:60W封裝類型:TO-220引腳節(jié)距:2.5mm總功率, Ptot:60W大連續(xù)電流, Ic:7A小增益帶寬 ft:10MHz滿功率溫度:25°C電壓, Vcbo:400V電壓, Vces:400V電流, Ic @ Vce飽和:5A電流, Ic hFE:2A電流,
肖特基二管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢壘二管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的,而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此,SBD也稱為金屬-半導(dǎo)體(接觸)二管或表面勢壘二管,它是一種熱載流子二管。肖特基二管是貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)A為正,以N型半
肖特基二管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)肖特基(Schottky)二管也稱肖特基勢壘二管(簡稱SBD),是由金屬與半導(dǎo)體接觸形成的勢壘層為基礎(chǔ)制成的二管,其主要特點是正向?qū)▔航敌。s0.45V),反向恢復(fù)時間短和開關(guān)損耗小,是一種低功耗、高速半導(dǎo)體器件。肖特基二管在結(jié)構(gòu)原理上與PN結(jié)二管有很大區(qū)別,它的內(nèi)部是由陽金屬(用鉬或鋁等材料制成的阻擋層)、二氧化硅(SiO2)電場消除材料、N-外延層(砷材料)、N型硅基片、
MBR1045:高效穩(wěn)定的整流二極管MBR1045是一款高效穩(wěn)定的整流二極管,它適用于各種電源和電子設(shè)備中的整流電路。這款二極管在設(shè)計和制造過程中,采用了先進(jìn)的工藝技術(shù)和獨特的結(jié)構(gòu)設(shè)計,以實現(xiàn)更高的穩(wěn)定性和效率。一、特性1. 高效率:MBR1045具有出色的功率轉(zhuǎn)換效率,能夠在高負(fù)載和低負(fù)載條件下,提供穩(wěn)定的電壓輸出。這使得它在各種電源應(yīng)用中具有顯著的優(yōu)勢,減少了能源浪費。2. 快速恢復(fù):這款二極
公司名: 深圳市維品佳科技有限公司
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