空心限流電抗器，限流電抗器為什么采用空心結構

時間：2021-04-07

作者：旦佛（上海）電氣有限公司

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可控硅投切開關，什么是可控硅投切開關
可控硅開關可控硅又叫晶閘管，是晶體閘流管(Thyristor)的簡稱，谷稱可控硅，它是一種大功率開關型半導體器件，在電路中用文字符號為“V”、“VT”表示（舊標準中用字母“SCR”表示）。可控硅有多種分類方法。（一）按關斷、導通及控制方式分類：可控硅按其關斷、導通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導可控硅、門較關斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。（二）按引腳和
電容器的交流耐壓試驗
并聯電容器電極對外殼的交流耐壓試驗應符合表 d 的規定。如果出試驗值不符合表 d 的規定，交接試驗按出廠值的 75% 進行耐壓試驗。a. 電容器測完絕緣一定要對地放電，放電持續時間應較長。b. 做交流耐壓試驗時電容器兩較應該短接接耐壓器，外殼接地必須可靠。c. 高壓電力電容器容量較大，若耐交流耐壓試驗變壓器容量不夠，可用直流耐壓，直流耐壓值為交流耐壓值的 2 倍，且只進行引出線對外殼的耐壓。較間耐
無功補償串聯電抗器，電容補償裝置的串聯電抗器其中性點是否應接地
在高低壓無功補償裝置中，一般都裝有串聯電抗器，它的作用主要有兩點：1）限制合閘涌流，使其不**過20倍；2）抑制供電系統的高次諧波，用來保護電容器。因此，電抗器在無功補償裝置中的作用非常重要。然而，串抗與電容器不能隨意組合，若不考慮電容裝置接入處電網的實際情況，采用“一刀切”的配置方式（如電容器一律配用電抗率為5％～6％的串抗），往往適得其反，招致某次諧波的嚴重放大甚至發生諧振，危及裝置與系統的安全
低壓電容電抗器
低壓電容電抗器隨著科學技術的進步和人民生活水平的提高,配電系統結構日益復雜,尤其當今企業對電動機、整流裝置、變頻器等用電設備的大量使用，導致用電不足現象，使得功率因素偏低,不僅對用電設備利用率較低,電能損耗成本增加，而且對低壓配電系統造成損耗和污染。所以電能質量的治理任務迫在眉睫?，F在廣泛的治理方法是在低壓配電系統中采用并聯電容器對其進行無功補償，下面我用實際案例來與大家分享一下關于低壓無功補償裝