無感吸收電容的主要用途

時(shí)間：2025-03-12作者：昆山奇沃電子有限公司瀏覽：1616

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  詞條說明

• 江蘇區(qū)域優(yōu)勢銷售SKKQ3000/14E SKKQ1500/14E 等功率模塊

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• 【供應(yīng)西門康可控硅】可控硅調(diào)光原理

  可控硅具有相控工作原理，采用相位控制的方法來實(shí)現(xiàn)調(diào)光，通過觸發(fā)信號(hào)來控制可控硅的導(dǎo)通角，將電網(wǎng)輸入的正弦波電壓斬掉一部分，來降低輸出電壓的平均值，控制燈電路供電電壓，從而實(shí)現(xiàn)調(diào)光。可控硅相控調(diào)光對照明系統(tǒng)的電壓調(diào)節(jié)速度快，精度高，調(diào)光參數(shù)可以分時(shí)段實(shí)時(shí)調(diào)整。由于調(diào)光電路主要由電子元件組成，相對來說體積小、重量輕、成本低。但是可控硅調(diào)光由于工作在斬波方式，電壓無法實(shí)現(xiàn)正弦波輸出，因此出現(xiàn)大量諧波，形

• 【英飛凌IGBT銷售】IGBT結(jié)構(gòu)

  一個(gè)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙較晶體管結(jié)構(gòu)， N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源較（即**較E）。N基較稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵較（即門較G）。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在C、E兩較之間的P型區(qū)（包括P+和P-區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（Subchannel region）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（Drain injector），它是IGBT特有的功能區(qū)

• 【進(jìn)口吸收電容】吸收電容作用

  吸收電容在電路中起的作用類似于低通濾波器，可以吸收掉尖峰電壓。通常用在有絕緣柵雙較型晶體管（IGBT），消除由于母排的雜散電感引起的尖峰電壓，避免絕緣柵雙較型晶體管的損壞。母線電感以及緩沖電路及其元件內(nèi)部的雜散電感，對IGBT 電路尤其是大功率IGBT 電路，有較大的影響。因此，希望它愈小愈好。要減小這些電感，需從多方面入手。**，直流母線要盡量地短；*二，緩沖電路要盡可能地貼近模塊；*三，選用