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靜態特性IGBT 的靜態特性主要有伏安特性、轉移特性。IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時,漏極電流與柵極電壓之間的關系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制,Ugs 越高, Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似.也可分為飽和區1 、放大區2 和擊穿特性3 部分。在截止狀態下的IGBT ,正向電壓由J2 結承擔,反向電壓由J1結承擔。如果無N+緩沖區,則正反向阻斷電壓可以做
二極管模塊怎么選型?1、快恢復二極管模塊快恢復二極管是一種能快速從通態轉變到關態的特殊晶體器件。導通時相當于開關閉合(電路接通),截止時相當于開關打開(電路切斷)。特性是開關速度快,快恢復二極管能夠在導通和截止之間快速轉化提高器件的使用頻率和改善波形。快恢復二極管模塊分400V快恢復二極管模塊,600V快恢復二極管模塊,1200V快恢復二極管模塊等。2、肖特基二極管模塊肖特基二極管A為正極,以N型
低壓配電系統中熔斷器是起安全保護作用的一種電器,熔斷器廣泛應用于電網保護和用電設備保護,當電網或用電設備發生短路故障或過載時,可自動切斷電路,避免電器設備損壞,防止事故蔓延。熔斷器由絕緣底座(或支持件)、觸頭、熔體等組成,熔體是熔斷器的主要工作部分,熔體相當于串聯在電路中的一段特殊的導線,當電路發生短路或過載時,電流過大,熔體因過熱而熔化,從而切斷電路。熔體常做成絲狀、柵狀或片狀。熔體材料具有相對
可控硅的PN結比三極管多了半個,它有兩個P型半導體和兩個N型半導體組成,我們把它看做是漢堡的話,最底層的是N型半導體,上面的是P型半導體,再上面又是N型半導體,最后一層也還是P型半導體,它總共有四層半導體,N型半導體和P型半導體交錯互織在一起,而里面就夾雜著三個PN結,我們在第二層的P型半導體中接出引線,就成了可控硅的控制極,在第四層接引線稱作陽極,在最下面的N型半導體上接的引線就叫做陰極。單向可
公司名: 昆山奇沃電子有限公司
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地 址: 江蘇蘇州昆山市昆山市玉山鎮富士康路932號
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賽米控IGBT模塊SKIIP1013GB172-2DK0203
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