【德國西門康可控硅】可控硅結構

時間：2021-09-13

作者：上海秦邦電子科技有限公司

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WESTCODE相控可控硅平板形
WESTCODE相控可控硅平板形IXYS UK Westcode ltd 西碼提供行業內較全面的標準相位控制晶閘管(相控可控硅)。電壓范圍從600V到4500V的設備是可用的，使它們適用于電壓從230V到1000V以上的線路(我們的中壓晶閘管現在提供較高的電壓應用)。IXYS UK Westcode ltd是一家良好的相位控制產品供應商，產品涉及工業直流驅動器、感應熔煉、船舶/鐵路推進系統、風力發
平板式可控硅的制作方法
**名稱：平板式可控硅的制作方法技術領域：本實用新型涉及一種平板式可控硅。背景技術：可控硅又稱晶間管，晶間管整流器具有耐壓高、容量大、效率高、控制特性好、體積小、壽命長等諸多優點，發展迅猛。在世紀應用中，大功率晶間管整流裝置一般采用平板式可控硅，其特點是可作雙面冷卻。目前大功率平板式可控硅的封裝普遍采用陶瓷外殼的封裝結構形式，雖然陶瓷材料能夠絕緣、耐熱，但因為陶瓷工藝易碎、雜質難控制等特點，其加工
進口晶閘管供應常見晶閘管特點用途介紹
進口晶閘管供應? 常見晶閘管特點用途介紹1、單結晶體管單結晶體管（UJT）也稱雙基較二極管。從結構功能上類似晶閘管，它是由1個PN結和兩只內電阻構成的三端半導體器件，有一個PN結和2個基較，具有電路簡單、熱穩定性好等優點。廣泛應用于振蕩、定時、雙穩電路及晶閘管觸發等電路。2、單向晶閘管單向晶閘管（SCR）是由PNPN4層3個PN結組成的，它被廣泛用于可控整流、交流調壓、逆變器和開關電源電
【英飛凌IGBT模塊】IGBT工作特性
IGBT工作特性靜態特性IGBT 的靜態特性主要有伏安特性、轉移特性。IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時，漏較電流與柵較電壓之間的關系曲線。輸出漏較電流比受柵源電壓Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似．也可分為飽和區1 、放大區2 和擊穿特性3 部分。在截止狀態下的IGBT ，正向電壓由J2 結承擔，反向電壓由J1結承擔。如果無N+緩沖區，則正反