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詞條說明
高功率密度IGBT模塊FF1200R12IE5測(cè)試?
其中FF1200R12IE5是英飛凌公司新推出的一款高功率密度IGBT模塊,如圖4所示。電壓等級(jí)1200V,電流等級(jí)1200A。IGBT5本身具有高工作結(jié)溫的特點(diǎn),可以達(dá)到175℃。為了充分發(fā)揮其高工作結(jié)溫特點(diǎn),新一代PrimePACK?2封裝結(jié)合較新的.XT技術(shù)和新的設(shè)計(jì)方法,在保持上一代封裝尺寸的基礎(chǔ)上使得模塊電流輸出能力提升了33%。因此本實(shí)驗(yàn)選用此高功率密度IGBT模塊,分別使用兩種驅(qū)動(dòng)對(duì)
可控硅特性常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路、單結(jié)晶體管觸發(fā)電路、晶體三極管觸發(fā)電路、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路,等等。可控硅的主要參數(shù)有:1、 額定通態(tài)平均電流IT 在一定條件下,陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2、 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制較開路未加觸發(fā)信號(hào),陽極正向電壓還未**過導(dǎo)能電壓時(shí),可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅承受的正向電壓峰值,不能**
晶閘管(Thyristor)它是晶體閘管的縮寫,也被稱為硅控制整流器;晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)有三個(gè)較:陽極、陰極和控制較;晶閘管具有硅整流器件的特點(diǎn),可在高壓、大電流條件下工作,工作過程可控制,廣泛應(yīng)用于可控整流、交流壓力調(diào)節(jié)、無接觸電子開關(guān)、逆變、變頻等電子電路中。晶閘管的工作原理晶閘管在工作過程中,其陽極(A)和陰極(K)晶閘管的主電路與電源和負(fù)載連接,晶閘管的門較G和陰極K連接到控制
SKiiP智能Mini迷你IGBT模塊設(shè)計(jì)特點(diǎn)?
MiniSKiiP產(chǎn)品的設(shè)計(jì)特點(diǎn)是在負(fù)載和門較端子中使用易于裝配且便于維護(hù)的彈簧連接。相較于需要昂貴的焊接設(shè)備、焊接過程費(fèi)時(shí)的傳統(tǒng)焊接模塊,MiniSKiiP組裝*任何特殊工具,僅使用一到兩個(gè)螺絲連接,一步便可組裝好印刷電路板(PCB)、功率模塊和散熱片。圖1:MiniSKiiP裝配示意圖圖2:MiniSKiiP系列封裝MiniSKiiP可以提供電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的所有拓?fù)洌鏑IB(變流器-逆變器-
公司名: 上海秦邦電子科技有限公司
聯(lián)系人: 林女士
電 話: 0512-36886603
手 機(jī): 15995613456
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地 址: 上海奉賢上海市奉賢區(qū)奉浦工業(yè)區(qū)奉浦大道111號(hào)7樓3247室
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