【進口吸收電容】雙向可控硅模塊采購商必須知道的9個采購流程

時間：2025-03-28

作者：昆山奇沃電子有限公司

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詞條
詞條說明
可控硅的好壞如何判斷？
方法一：測量極間電阻法將萬用表置于皮R×1k檔，如果測得T2－T1、T2－G之間的正反向電阻接近∞，而萬用表置于R×10檔測得T1－G之間的正反向電阻在幾十歐姆??時，就說明雙向可控硅是好的，可以使用；反之：1、若測得T2－T1，、T2－G之間的正反向電阻較小甚或等于零．而Tl－G之間的正反向電阻很小或接近于零時．就說明雙向可控硅的性能變壞或擊穿損壞。不能使用；2、如果測得T1
可控硅模塊的工作原理是什么?主要起什么作用？
? ? ? 可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。?? ? ? 可控硅模塊又叫晶閘管(Silicon Controlled Rectifier, SCR)。自從20世紀
【英飛凌IGBT銷售】IGBT工作特性
靜態特性IGBT 的靜態特性主要有伏安特性、轉移特性。IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時，漏極電流與柵極電壓之間的關系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似．也可分為飽和區1 、放大區2 和擊穿特性3 部分。在截止狀態下的IGBT ，正向電壓由J2 結承擔，反向電壓由J1結承擔。如果無N+緩沖區，則正反向阻斷電壓可以做
【熔斷器供應商】熔斷器使用維修事項
熔斷器使用維修：1、熔體熔斷時，要認真分析熔斷的原因，可能的原因有：1）短路故障或過載運行而正常熔斷；2）熔體使用時間過久，熔體因受氧化或運行中溫度高，使熔體特性變化而誤斷；3）熔體安裝時有機械損傷，使其截面積變小而在運行中引起誤斷。2、拆換熔體時，要求做到：1）安裝新熔體前，要找出熔體熔斷原因，未確定熔斷原因，不要拆換熔體試送；2）更換新熔體時，要檢查熔體的額定值是否與被保護設備相匹配；3）更換