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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優
常用的熔斷器(1)插入式熔斷器它常用于380V及以下電壓等級的線路末端,作為配電支線或電氣設備的短路保護用。(2)螺旋式熔斷器熔體上的上端蓋有一熔斷指示器,一旦熔體熔斷,指示器馬上彈出,可透過瓷帽上的玻璃孔觀察到,它常用于機床電氣控制設備中。螺旋式熔斷器。分斷電流較大,可用于電壓等級500V及其以下、電流等級200A以下的電路中,作短路保護。(3)封閉式熔斷器封閉式熔斷器分有填料熔斷器和無填料熔斷
熔斷器有很多差異的種類,快速熔斷器是這其中一種較為常見的。說白了,從快速熔斷器的名稱大家就可以發覺它相比于其它的熔斷器而言很有可能速率會迅速,因此被稱作快速熔斷器。快速熔斷器為何現如今運用范疇那么普遍,而且專業性遭受眾多行內人士的認可呢?快速熔斷器和一般的熔斷器有什么不同?第一:【容積更小,額定容量更高】,針對一些高新技術規定的人而言,很有可能快速熔斷器會更為合適。第二:【在實際的應用過程中,針對
靜態特性IGBT 的靜態特性主要有伏安特性、轉移特性。IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時,漏極電流與柵極電壓之間的關系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制,Ugs 越高, Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似.也可分為飽和區1 、放大區2 和擊穿特性3 部分。在截止狀態下的IGBT ,正向電壓由J2 結承擔,反向電壓由J1結承擔。如果無N+緩沖區,則正反向阻斷電壓可以做
公司名: 昆山奇沃電子有限公司
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