脈沖功率可控硅DCR5050B22 DCR5450W20進口DYNEX晶閘管

時間：2025-02-15

作者：上海聚肯電子科技有限公司

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詞條
詞條說明
可控硅壞的原因
1、電壓擊穿可控硅因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個光潔的小孔，有時需用擴大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產(chǎn)生的高電壓擊穿。2、電流損壞電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑，且粗糙，其位置在遠離控制較上。3、電流上升率損壞其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制較附近或就在控制較上。4、邊緣損壞他發(fā)生在芯片外圓倒角處，有細小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細細金屬物劃痕。
熔斷器主要有哪些分類？
? ? ? 熔斷器根據(jù)使用電壓可分為高壓熔斷器和低壓熔斷器。根據(jù)保護對象可分為保護變壓器用和一般電氣設(shè)備用的熔斷器、保護電壓互感器的熔斷器、保護電力電容器的熔斷器、保護半導(dǎo)體元件的熔斷器、保護電動機的熔斷器和保護家用電器的熔斷器等。根據(jù)結(jié)構(gòu)可分為敞開式、半封閉式、管式和噴射式熔斷器。? ? ? 敞開式熔斷器結(jié)構(gòu)簡單,熔體完全暴露于空氣中,
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