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??? 雪崩二極管是利用半導體結構中載流子的碰撞電離和渡越時間兩種物理效應而產生負阻的固體微波器件。 ??? 雪崩擊穿是在電場作用下,載流子能量增大,不斷與晶體原子相碰,使共價鍵中的電子激發形成自由電子-空穴對。新產生的載流子又通過碰撞產生自由電子-空穴對,這就是倍增效應。1生2,2生4,像雪崩一樣增加載流子。 齊納擊穿完全不同,在高的反
????? 晶閘管又叫可控硅(Silicon?Controlled?Rectifier,?SCR)。自從20世紀50年代問世以來已經發展成了一個大的家族,它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管、可關斷晶閘管、快速晶閘管,等等。今天大家使用的是單向晶閘管,也就是人們常說的普通晶閘管,它是由四層半導
為什么可控硅容易擊穿? 很多企業都在使用可控硅,可是有些企業的可控硅特別容易燒壞呢?下面就由我為大家一一介紹可控硅被擊穿的各種原因: 1、過壓擊穿: 過壓擊穿是可控硅擊穿的主要原因之一,可控硅對過壓的承受能力幾乎是沒有時間的,即使在幾毫秒的短時間內過壓也會被擊穿的,因此實際應用電路中,在可控硅兩端一定要接入RC吸收回路,以避免各種無規則的干擾脈沖所引起的瞬間過壓。如果經常發生可控硅擊穿,請檢查一
??? 雙向晶閘管的工作原理 雙向晶閘管與單向晶閘管一樣,也具有觸發控制特性。不過,它的觸發控制特性與單向晶閘管有很大的不同,這就是無論在陽極和陰極間接入何種極性的電壓,只要在它的控制較上加上一個觸發脈沖,也不管這個脈沖是什么極性的,都可以使雙向晶閘管導通。由于雙向晶閘管在陽、陰極間接任何極性的工作電壓都可以實現觸發控制,因此雙向晶閘管的主電極也就沒有陽極、陰極之分,
公司名: 武漢武整機電有限公司
聯系人: 王先生
電 話: 027-85667758
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地 址: 湖北武漢江夏區湖北省武漢市江夏區東湖**開發區光谷二路與高新五路交匯處北首地塊
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