GE通用 HE693THM888H Thermocouple Input Module

時間：2024-06-03

作者：中海德（福建）工業設備有限公司

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MG250YD2YMS3具有低導通損耗和0.7V（典型值）的低漏-源導通電壓（傳感器）[2]。此外，它還具有較低的開通和關斷損耗，分別為14mJ（典型值）[3]和11mJ（典型值）[3]，與典型的硅（Si）IGBT相比降低了約[4]。這些特性均有助于提高設備效率。由于MG250YD2YMS3可實現較低的開關損耗，用戶可采用模塊數量少的兩電平電路取代傳統的三電平電路，有助于設備的小型化。&nb