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目前在半導體工業生產中,普遍采用RCA清洗技術清洗拋光硅片,今天我們介紹一種溶浸式濕法化學清洗,串聯的SC1和兆聲去除顆粒,含O3的去離子水工藝形成均勻硅氧化膜,最后用IPA干燥。 IPA干燥是利用IPA的低表面張力和易揮發的特性,取代硅片表面的具有較高表面張力的水分,然后用熱N2吹干,達到徹底干燥硅片水膜的目的。 此種干燥工藝比傳統的離心式甩干法、真空干燥法、單純熱N2干燥法在降低金屬和顆粒站
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