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國芯思辰|肖特基二極管B1D02065K助力醫療設備電源功率密度的提升
在嚴格醫療要求的設備中,電源的設計電不僅要達到理想的效率,同時盡可能保持小巧緊湊,且必須滿足IEC60601-1的嚴格要求和一系列的技術標準,旨在確保醫療電氣設備的安全性和性能。本文主要介紹基本半導體碳化硅肖特基二極管B1D02065K用于嚴格的醫療設備中,B1D02065K優越的性能和較高的工作效率是電源設計的可以選擇產品。碳化硅肖特基二極管B1D02065K碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料,與傳統的
國芯思辰|國產碳化硅可替代科銳C2M0160120D應用服務器電源中
服務器作為網絡的節點存儲,處理著網絡上80%以上的數據和相關信息,需要24*7不間斷運行,承載著整個企業甚至**各地的訪問任務,這主要歸功于其高性能、高可靠性電源設計。服務器的電源設計趨勢主要在于高密度、體積小、功率大并且效率高,因此優良的碳化硅功率器件可以滿足不同工業應用領域電源的安全性和可靠性要求。碳化硅MOSFET是碳化硅電力電子器件研究中較受關注的器件,因其高耐壓、低損耗、率等特性,一直被
國芯思辰|耐壓1200V的碳化硅MOSFET B1M032120HK用于充電樁電源模塊上,Rds為32mΩ
隨著新能源汽車的普及,充電樁也成了日常配套的生活設施。目前市面上充電樁電源模塊的轉換效率已經可以做到99%,對于車輛快速且高效的充電有很大的意義。然而這對于設計者來說,功率器件的選型尤為重要。本文提到基本半導體的碳化硅MOSFET B1M032120HK用于充電樁電源模塊的LLC諧振電路中,可以有效降低熱損耗,提高工作效率,同時也可以減小變壓器等器件的體積。基本半導體的碳化硅MOSFET B1M0
國芯思辰|地芯科技電壓基準源GREF1025兼容MAX6070助力多通道短距離傳輸光模塊設計
某工程師在設計一款多通道短距離傳輸光模塊需要用到一顆電壓基準源,用來AD轉換,提供2.7V的基準電壓信號給MCU。項目要求可輸出2.7V供電,封裝越小越好,要求國產品牌。本文介紹一款國產地芯科技電壓基準源GREF1025,可以滿足工程師的設計需求。GREF1025的簡略應用圖GREF1025的優勢如下所示:1、工作溫度范圍為?40至+125℃,可以保證芯片在較端工作溫度條件下具有保證的溫度穩定性。
公司名: 國芯思辰(深圳)科技有限公司
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基本半導體碳化硅MOSFET B1M080120HC,替代C2M0080120D,助力光伏逆變器設計
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