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詞條說明
由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),IGBT的柵較通過一層氧化膜與**較實(shí)現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄,其擊穿電壓一般達(dá)到20~30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵較擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點(diǎn):在使用模塊時(shí),盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分,當(dāng)必須要觸摸模塊端子時(shí),要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后,再觸摸;在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動(dòng)端子時(shí),在配線未接好之前請(qǐng)先不要接上模
IG是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙較型晶體管)的縮寫,IG是由MOSFET和雙較型晶體管復(fù)合而成的一種器件,其輸入較為MOSFET,輸出較為PNP晶體管,它融和了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn),既具有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn),又具有雙較型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點(diǎn),其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間,可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi),
(1) 熔斷器使用注意事項(xiàng):①熔斷器的保護(hù)特性應(yīng)與被保護(hù)對(duì)象的過載特性相適應(yīng),考慮到可能出現(xiàn)的短路電流,選用相應(yīng)分?jǐn)嗄芰Φ娜蹟嗥鳌"谌蹟嗥鞯念~定電壓要適應(yīng)線路電壓等級(jí),熔斷器的額定電流要大于或等于熔體額定電流。③線路中各級(jí)熔斷器熔體額定電流要相應(yīng)配合,保持**級(jí)熔體額定電流必須大于下一級(jí)熔體額定電流。④熔斷器的熔體要按要求使用相配合的熔體,不允許隨意加大熔體或用其他導(dǎo)體代替熔體。(2) 熔斷器巡視
IXYS艾賽斯單相整流橋模塊MCC95-16IO1B 二極管可控硅
IXYS艾賽斯單相整流橋模塊MCC95-16IO1B 二極管可控硅上海寅涵智能科技發(fā)展有限屬于電力半導(dǎo)體器件和電子元器件的專業(yè)代理及分銷商,產(chǎn)品廣泛供應(yīng)世界各地,應(yīng)用到民用,工業(yè),通信,**等電子產(chǎn)品領(lǐng)域中專注為開關(guān)電源、逆變電源、電力電源、電刷及電刷架等,廣泛應(yīng)用于電力、通訊、電子、冶金、化工、交通等行業(yè)電路保護(hù)及設(shè)備維護(hù)用備件、不間斷電源、通信電源等能量控制與變換產(chǎn)品提供**的半導(dǎo)體功率器件我
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