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光耦應用伺服器、變頻器、充電樁:光耦繼電器高速度光耦可控硅驅動光耦高壓隔離耦合器
光耦是由三部分組成,就是“光的發射、光的接收及信號放大?!彼械墓怦睿还苁枪饫^電器還是光可控硅,第一和第二部分都是一樣的,就是“光的發射、光的接收”,區別在哪里?區別在第三部分“信號放大”,第三部分做成類似可控硅特性的半導體,那這個光耦就是光可控硅,做個簡單的晶體管,那就是常用的普通光耦,做個耐高壓的類似MOS管特性的半導體,這就是光繼電器。今天讓盛高泰小編教你如何分辨高速光耦,常見的光耦分類有
光耦應如何計算參數值呢?今天就讓小編帶大家認識一下吧!首先,獲取CTR、Vf、Vce的典型值。我們先光耦的核心參數,TCM1100這個光耦在IF=5mA,VCE=5V,25℃時候,光耦的CTR是確定的,確定的值是50%~600%。也就是放大倍數在0.5~6倍。(這是多么不靠譜的數字,跨越如此之大。),我們計算的時候,只能按照最低的50%使用。再看VF,代表的是光耦導通的時候,原邊的壓降典型值為1.
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