全新 STM32F103 STM32F103R8T6 32位微控制器芯片64K閃存 LQFP64

時(shí)間：2021-08-20作者：深圳市南北行電子發(fā)展有限公司瀏覽：109

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  OptiMOS? 2小信號(hào)晶體管 特征 ?N通道 ?增強(qiáng)模式 ?邏輯電平（4.5V） ?額定雪崩 ?與SOT23兼容的封裝外形 ?額定dv/dt ?無鉛電鍍；符合RoHS標(biāo)準(zhǔn) 參數(shù)符號(hào)條件單元 連續(xù)漏電流I D T A=25°C 3.7 A T A=70°C 2.9 脈沖漏極電流I D，脈沖T A=25°C 14.7 雪崩能量，單脈沖E，Id=3.7A，Rgs=25? 30兆焦耳 反向二極管dv/

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  NVP6124B 貼片QFN76 AHD2.0接收芯片圖像處理器IC芯片 NVP6124B包括4通道AHD2.0 RX和9通道音頻編解碼器。它肯定與AHD1.0兼容。4通道AHD2.0RX提供高質(zhì)量的圖像。它接受來自攝像機(jī)和其他視頻信號(hào)源的4個(gè)獨(dú)立的cvbs/comet/AHD1.0/AHD2.0輸入 NVP6124B數(shù)據(jù)手冊(cè)對(duì)于海思sample程序只能實(shí)現(xiàn)單個(gè)分辨率采集，本文主要講解怎么實(shí)現(xiàn)對(duì)攝

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  高性能 RISC CPU 只需學(xué)習(xí) 35 條指令 所有指令均為單周期（除了分支跳轉(zhuǎn)） 可選的指令周期：2T/4T FSYS =16MHz 時(shí)，VDD≥2.7V 8 層硬件堆棧 存儲(chǔ)架構(gòu) ? 程序 ROM: 2k x 14bits（FT60F12X） ? 數(shù)據(jù) RAM: 128 x 8bits（FT60F12X） ? 數(shù)據(jù) EEPROM: 256 x 8bits 特殊單片機(jī)特性 ? 時(shí)鐘 ? 兩個(gè)內(nèi)

• 供應(yīng) DPDW01 SOT23-6 絲印DW01 鋰電池保護(hù)芯片

  概述 DW01A系列電路是一款高精度的單節(jié)可充電鋰電池的過充電和過放電保護(hù)電路，它集高精度過電壓充電保 護(hù)、過電壓放電保護(hù)、過電流放電保護(hù)等性能于一身。正常狀態(tài)下，DW01A的VDD端電壓在過電壓充電保護(hù)閾 值（VOC）和過電壓放電保護(hù)閾值（VOD）之間，且其VM檢測(cè)端電壓在充電器檢測(cè)電壓（VCHG）與過電流放 電保護(hù)閾值（VEDI）之間，此時(shí) DW01A的COUT端和DOUT端都輸出高電平，分別