常用的熔斷器有哪些分類(lèi)？

時(shí)間：2020-06-27作者：上海秦邦電子科技有限公司瀏覽：896

上海秦邦電子科技有限公司專(zhuān)注于可控硅模塊,英飛凌IGBT模塊,二極管模塊,整流橋模塊,熔斷器保險(xiǎn)絲,進(jìn)口晶閘管,德國(guó)西門(mén)康可控硅等, 歡迎致電 15995613456

• 詞條

  詞條說(shuō)明

• WESTCODE相控可控硅平板形

  WESTCODE相控可控硅平板形IXYS UK Westcode ltd 西碼提供行業(yè)內(nèi)較全面的標(biāo)準(zhǔn)相位控制晶閘管(相控可控硅)。電壓范圍從600V到4500V的設(shè)備是可用的，使它們適用于電壓從230V到1000V以上的線(xiàn)路(我們的中壓晶閘管現(xiàn)在提供較高的電壓應(yīng)用)。IXYS UK Westcode ltd是一家良好的相位控制產(chǎn)品供應(yīng)商，產(chǎn)品涉及工業(yè)直流驅(qū)動(dòng)器、感應(yīng)熔煉、船舶/鐵路推進(jìn)系統(tǒng)、風(fēng)力發(fā)

• 可控硅模塊的好壞如何判斷？

  方法一：可控硅模塊測(cè)量較間電阻法將萬(wàn)用表置于皮R×1k檔，如果測(cè)得T2－T1、T2－G之間的正反向電阻接近∞，而萬(wàn)用表置于R×10檔測(cè)得T1－G之間的正反向電阻在幾十歐姆??時(shí)，就說(shuō)明雙向可控硅是好的，可以使用；反之：1、若測(cè)得T2－T1，、T2－G之間的正反向電阻較小甚或等于零．而Tl－G之間的正反向電阻很小或接近于零時(shí)．就說(shuō)明雙向可控硅的性能變壞或擊穿損壞。不能使用；2、如

• 進(jìn)口晶閘管的工作原理

  在中頻爐中整流側(cè)關(guān)斷時(shí)間采用KP-60微秒以?xún)?nèi)，逆變側(cè)關(guān)短時(shí)間采用KK-30微秒以?xún)?nèi)這也是KP管與KK管的主要區(qū)別進(jìn)口晶閘管T在工作過(guò)程中，它的陽(yáng)極A和陰極K與電源和負(fù)載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門(mén)較G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路。 晶閘管的工作條件： 1. 晶閘管承受反向陽(yáng)極電壓時(shí)，不管門(mén)較承受和種電壓，晶閘管都處于關(guān)短狀態(tài)。 2. 晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí)，僅在

• 可控硅的作用介紹及檢測(cè)方法

  1. 可控硅的特性。 可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽(yáng)極A、陰極K、控制較G三個(gè)引出腳。雙向可控硅有陽(yáng)極A1（T1），*二陽(yáng)極A2（T2）、控制較G三個(gè)引出腳。 只有當(dāng)單向可控硅陽(yáng)極A與陰極K之間加有正向電壓，同時(shí)控制較G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí)，方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時(shí)A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài)，陽(yáng)極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導(dǎo)通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽(yáng)極A和陰