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STP4925 SOP-8 P30V 7.2A stanson廠家大量現貨
描述stp4925是雙P溝道增強型功率場效應晶體管邏輯使用的是高密度,DMOS器件溝道技術。這種高密度過程是特別定制,以盡量減少對國家的阻力。這些器件特別適合于低電壓應用,筆記本電腦電源管理,和其他電池供電的電路,高側開關特征-30V / -7.2a,RDS(上)= 20mΩ(典型值@ VGS = - 10V-30V / -5.6a,RDS(上)= 25mΩ@ VGS = 4.5v**高密度電池設計
從上文《細說MOS管(一)》的內容,大家已經初步了解什么是MOS管,還有就是MOS的基本構造,今天小編繼續帶領大家深入了解MOS管的構造原理以及應用領域,j今天我們來繼續深入了借MOS管,基于《細說MOS管一》的基礎上,首先我們可以看看MOS管的構造圖:結合上圖和之前的知識點,我們將MOS管的知識劃分成九個問題分類點來進行深入了解(如果還沒看過細說MOS管一的話,先可以點擊鏈接入口《細說MOS管一
STC6301D 替代AOD603D、AOD603A、SM6042CSU
STANSON 閩臺司坦森原廠直銷 長期庫存充足,價格優美,質量保證STC4301D替代AO606,AO609,FKD4903STC6301D可替代 AOD603D,AOD603A,SM6042CSU4說明STC6301d是采用高電池密度的n&p通道增強模式電場效應晶體管mos戰壕技術。這種高密度的過程特別適合將狀態阻力降到較低并提供優越的切換性能。這種裝置特別適用于低壓應用如電源管理,其
STANSON STC6614 可替代Si4559A SM6041SCK NCE603S
STC6614替代Si4559ADY、SM6041SCK描述stc6614是N和P溝道采用高密度增強型功率場效應晶體管DMOS器件溝道技術。這種高密度的過程,特別是量身定制,以盡量減少對狀態的阻力并提供優越的開關性能。該裝置特別適合于低電壓應用如筆記本電腦電源管理和其他電池供電電路,在高側開關,低的在線功率損耗和電阻瞬態是必要的。特征N溝道60V /幅,RDS(ON)= 35mΩ(典型值)@ VG
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