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MOS管STN2610 參數(shù) N60V 50A 應(yīng)用于電子測量儀器 原廠庫存足 交貨快
STN2610D替代AO442G、50N06、NCE6050K描述stn2610d使用溝槽技術(shù),提供優(yōu)良的RDS(ON)和柵較電荷。這些設(shè)備是適合作為負(fù)載開關(guān)或在應(yīng)用程序使用。特征60v / 10.0a,RDS(上)= 10mΩ(典型值@ VGS = 10v60v / 8.0a,RDS(上)= 12m@ VGS = 4.5v**高密度電池設(shè)計(jì)較低的RDS(on)特殊的阻力和較大直流電流能力to-25
STANSON原廠現(xiàn)貨STP4435參數(shù)P30V 10A用于車燈 可替代Si9804、AO4419
STP4435A替代Si9804、AO4419、AO4411、Si4425、Si4435、Si4431、AO4405E、AO4449、FDS8435、FDS4435、FDS6675、AO4405、Si4431CDY、SM4310PSK、SM4915PSK、AO4415、AO4459描述stp4435是P溝道增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管邏輯它是利用高密度,DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度過程是特別定制,以
STN454D TO-252 N40V 10A 規(guī)格書 中文資料PDF
??溝槽式場效電晶體 Trench_MOSFET ( TO-251/TO-252)Part No.TYPEVDSSVGSVTHIDSRDS(Max)PDPackageData SheetMinMax25°C10V4.5V2.5V1.8V5.0V25°CVVVVAm Ωm Ωm Ωm Ωm ΩWSTN454DN402013102530---50TO-252BitmapST9435A替代Si
一、什么是MOS管?MOS管全稱金屬—氧化物—半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管或稱金屬—絕緣體—半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,英文名metal oxide semiconductor,屬于場效應(yīng)管中的絕緣柵型,因此,MOS管有時候又稱為絕緣柵場效應(yīng)管。二、MOS管的構(gòu)造。MOS管這個器件有兩個電極,分別是漏較D和源較S,無論是圖一的N型還是圖二的P型都是一塊摻雜濃度較低的P型半導(dǎo)體硅襯底上,用半導(dǎo)體光刻、擴(kuò)散工藝制作兩個
公司名: 司坦森集成電路(深圳)有限公司
聯(lián)系人: 唐二林
電 話: 13168017351
手 機(jī): 13168017351
微 信: 13168017351
地 址: 廣東深圳福田區(qū)福田區(qū)福明路雷圳大廈2605
郵 編:
網(wǎng) 址: stansontech.cn.b2b168.com
2SK2504用ST16N10替換,N100V 16A TO-252
AO3442 Si2328DS 用ST1004SRG替換,N100V ,2A SOT-23
ST2341A P30V 6A SOT-23-3L STANSON 原廠 免費(fèi)試樣
STP605D P60V 15A TO-252 STANSON 原廠當(dāng)天出貨
STN4828 雙**0V SOP-8 司坦森原廠當(dāng)天出貨
司坦森原廠ST3422A N 60V 6A SOT-23-3L,免費(fèi)試樣
STC4614 N+P 40V STANSON原廠當(dāng)天出貨
VS6018AS用STN4260替換,**0V 18A SOP-8
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