STN4828 **0V 10A STANSON 原廠替代Si4900、AO4828

時間：2020-01-05作者：司坦森集成電路（深圳）有限公司瀏覽：156

司坦森集成電路（深圳）有限公司專注于STP6621,STN4438等

• 詞條

  詞條說明

• MOS管失效原因是什么？

  MOS管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導體（semiconductor）場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator） —半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩 端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。目前在市場應用方面，排名**的是消費類電子電源適配器產

• STN454D TO-252 N40V 10A 規格書 中文資料PDF

  ??溝槽式場效電晶體 Trench_MOSFET ( TO-251/TO-252)Part No.TYPEVDSSVGSVTHIDSRDS(Max)PDPackageData SheetMinMax25°C10V4.5V2.5V1.8V5.0V25°CVVVVAm Ωm Ωm Ωm Ωm ΩWSTN454DN402013102530---50TO-252BitmapST9435A替代Si

• STC6301D 替代AOD603D、AOD603A、SM6042CSU

  STANSON 閩臺司坦森原廠直銷 長期庫存充足，價格優美，質量保證STC4301D替代AO606,AO609,FKD4903STC6301D可替代 AOD603D,AOD603A,SM6042CSU4說明STC6301d是采用高電池密度的n&p通道增強模式電場效應晶體管mos戰壕技術。這種高密度的過程特別適合將狀態阻力降到較低并提供優越的切換性能。這種裝置特別適用于低壓應用如電源管理，其

• 臺產MOS管 STN4438 參數N60V 8.5A用于風扇 原廠交貨快

  STN4438替代ME4436、Si4436DY、SM6029NSK描述stn4438是N溝道增強型功率場效應晶體管邏輯的采用高密度，DMOS器件溝道技術。這種高密度過程是特別定制，以盡量減少對國家的阻力。這些器件特別適合于低電壓應用，如電源管理和其他高側開關的電池供電電路。特征60V / 8.2A，RDS（ON）= 25毫歐（典型值）@ VGS = 10V60V / 7.6A，RDS（ON）＝3